国家知识产权局信息显示红太阳配资，浙江大学杭州国际科创中心和浙江富乐德石英科技有限公司申请一项名为“用于光掩模基板的铬系涂层及其制备方法、光掩模和半导体元件”的专利，公开号CN121380846A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种用于光掩模基板的铬系涂层及其制备方法、光掩模和半导体元件，该铬系涂层为纯铬涂层，具有单一微观结构或复合微观结构；其中，单一微观结构包括非晶态、多晶态及非晶‑纳米晶混合态的任一种；复合微观结构包括非晶态、多晶态及混合态的至少两种；混合态是指非晶向多晶转变的过渡态微观结构。通过调控纯铬靶材的微观结构，该用于光掩模基板的铬系涂层在超薄厚度下能够满足193nm波长处单位厚度光学密度的设计目标，既避免了厚铬层导致的三维掩模效应，又解决了薄铬层遮光不足的矛盾。同时这种基于纯铬材质辅以磁控溅射电流调控的方式，无需复杂反应气体系统，工艺窗口宽且重现性好，适合工业化批量生产。
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作者：情报员
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